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GA1210A331GBAAR31G 发布时间 时间:2025/5/22 14:11:22 查看 阅读:19

GA1210A331GBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频开关和高效率应用场景设计。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能等特性。它广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域,能够有效降低系统功耗并提升整体效率。

参数

型号:GA1210A331GBAAR31G
  类型:N沟道功率MOSFET
  封装:TO-263(D2PAK)
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大连续漏极电流(ID):40A
  导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ(典型值,在VGS=10V时)
  总栅极电荷(Qg):80nC
  输入电容(Ciss):2500pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

GA1210A331GBAAR31G 的主要特性包括:
  1. 低导通电阻,可显著减少导通损耗。
  2. 快速开关速度,适合高频应用环境。
  3. 高电流承载能力,支持大功率输出。
  4. 出色的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠运行。
  5. 内置静电保护功能,增强器件的抗干扰能力。
  6. 封装形式坚固耐用,适用于表面贴装技术(SMT),便于大规模生产。

应用

该芯片适用于多种电力电子设备中,具体应用领域如下:
  1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关管。
  2. 电动工具、家用电器及工业自动化设备中的电机驱动电路。
  3. 电池管理系统(BMS) 中的负载开关和保护电路。
  4. LED 照明系统的恒流驱动控制。
  5. 汽车电子领域,如电动车窗、雨刷器等执行机构的驱动控制。

替代型号

IRF3710,
  STP40NF06,
  AO3400

GA1210A331GBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容330 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-