您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 2N5061

2N5061 发布时间 时间:2025/4/30 19:57:34 查看 阅读:3

2N5061是一种双极型小功率硅PNP晶体管,通常用于低噪声音频放大器、射频电路和一般用途的开关应用。该晶体管具有较低的噪声系数,非常适合在高频和低电平信号处理中使用。它的工作电压范围较广,并且能够在相对较高的频率下保持稳定性。
  2N5061是许多早期无线电和音频设备中的常用元件,广泛应用于需要高增益和低噪声特性的场合。

参数

集电极-发射极击穿电压:70V
  集电极电流:300mA
  直流电流增益(hFE):40~200
  集电极功耗:310mW
  特征频率(fT):8MHz
  工作温度范围:-65℃至150℃

特性

2N5061的主要特性包括:
  1. 低噪声系数,适合音频和射频放大。
  2. 较高的hFE值使其适用于多种放大和开关电路。
  3. 良好的稳定性和可靠性,在高温环境下仍能正常工作。
  4. 工作频率较高,能够支持高频应用。
  5. 结构紧凑,便于安装和集成到各种电子设备中。

应用

2N5061常用于以下应用场景:
  1. 音频前置放大器电路。
  2. 射频和无线通信电路。
  3. 小信号检测和放大。
  4. 低功率开关应用。
  5. 测试与测量设备中的信号调节模块。
  6. 教育和实验用的电子项目中作为基础放大元件。

替代型号

2N5085, 2N5086, MPSH10

2N5061推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

2N5061资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载
  • 2N5061
  • 0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Vo...
  • CENTRAL
  • 阅览
  • 2N5061
  • Sensitive Gate Silicon Controlled Re...
  • ONSEMI
  • 阅览

2N5061参数

  • 制造商Central Semiconductor
  • 产品种类SCR
  • 最大转折电流 IBO10 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM60 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)0.01 mA
  • 正向电压下降1.7 V
  • 栅触发电压 (Vgt)1.2 V
  • 最大栅极峰值反向电压5 V
  • 栅触发电流 (Igt)0.35 mA
  • 保持电流(Ih 最大值)10 mA
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-92
  • 工厂包装数量2500