型号：K4D26323RA-GC2A
　　制造商：Samsung
　　器件类型：DDR2 SDRAM
　　组织结构：256M x 32 (总容量 8Gbit)
　　工作电压：1.8V ±0.1V
　　最大频率：400MHz (DDR2-800)
　　数据速率：800 Mbps per pin
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：90-pin
　　位宽：32-bit
　　工作温度：0°C 至 +85°C (商业级)
　　刷新模式：自动刷新 / 自刷新
　　时钟频率：100MHz 至 200MHz (可实现400Mbps ~ 800Mbps数据率)
　　突发长度：支持BL=4, BL=8
　　CAS等待周期（CL）：4, 5, 6可选
　　接口电平：SSTL_18

K4D26323RA-GC2A具有多项关键技术特性，使其在DDR2时代成为主流存储解决方案之一。首先，该芯片采用256Meg x 32的组织结构，总容量达到8Gbit，能够有效满足嵌入式系统和网络设备对大容量缓存的需求。其核心架构基于四Bank DDR2 SDRAM设计，每个Bank可以独立操作，提升了并发访问效率，并通过差分时钟输入（CK/CK#）实现精确的时序控制，确保在高频下仍能保持稳定的数据采样。该器件支持双倍数据速率传输，在时钟的上升沿和下降沿均可传输数据，从而显著提高数据带宽。例如，在运行于200MHz时钟频率时，可实现高达800Mbps的数据速率，适用于对延迟敏感的应用场景。
　　其次，K4D26323RA-GC2A集成了多种节能机制。除了标准的自动刷新模式外，还支持自刷新（Self-Refresh）模式，允许在系统休眠状态下由内部计数器维持刷新操作，大幅降低功耗。同时，其具备温度补偿自刷新（TCSR）能力，可根据环境温度调整刷新周期，进一步优化能耗表现。写入掩码（DM）功能则允许在写操作期间屏蔽特定字节的数据写入，增强了数据处理的灵活性。
　　再者，该芯片采用SSTL_18（Stub Series Terminated Logic）接口标准，提供优异的信号完整性，减少反射和串扰，特别适合高密度PCB布局。其90球FBGA封装不仅节省空间，而且热性能良好，有助于散热管理。此外，器件内部集成了可编程模式寄存器（Mode Register），用户可通过命令设置突发长度（BL=4或BL=8）、突发类型（顺序或交错）、CAS潜伏期（CL=4/5/6）等关键参数，以适应不同系统的性能需求。所有这些特性共同构成了一个高效、可靠且灵活的存储单元，广泛服务于路由器、交换机、机顶盒、医疗设备等多种工业与通信平台。

K4D26323RA-GC2A主要应用于需要较高内存带宽和稳定性的嵌入式系统与通信基础设施中。典型应用包括网络设备如千兆以太网交换机、企业级路由器、防火墙设备等，这些系统在数据包转发、路由表查找和缓冲管理过程中依赖高速内存进行实时处理。此外，该芯片也常见于工业自动化控制器、PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端中，用于运行操作系统、存储程序代码及临时数据缓存。在数字视频领域，诸如IP摄像头、NVR（网络视频录像机）和高清机顶盒等设备也会采用此类DDR2颗粒来支撑音视频解码任务所需的内存资源。由于其具备良好的温度适应性与长期供货保障，K4D26323RA-GC2A也被用于部分医疗仪器、测试测量设备以及车载信息娱乐系统中。尽管当前主流市场已向DDR3/DDR4/LPDDR演进，但在一些维护升级项目或成本敏感型设计中，该型号仍在持续使用。其稳定的性能表现和成熟的配套方案使其在特定细分市场中保有较长生命周期。

K4B2G3246F-BCWE
　　MICRON MT47H64M32LF-3:C