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GA1210A331FBLAT31G 发布时间 时间:2025/5/29 0:12:15 查看 阅读:8

GA1210A331FBLAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等场景。该芯片采用先进的沟槽式工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,从而有效提升效率并降低功耗。
  该器件能够在高频工作条件下保持较低的开关损耗,同时具备良好的热性能和电气稳定性,适用于工业控制、消费电子及汽车电子等领域。

参数

型号:GA1210A331FBLAT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源极电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):2.5mΩ
  Id(连续漏极电流):180A
  Qg(栅极电荷):75nC
  Bvdss(击穿电压):60V
  EAS(雪崩能量):2.5J
  封装形式:TO-247-3L

特性

GA1210A331FBLAT31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高电流承载能力,能够支持高达 180A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,适合高频应用环境。
  4. 具备出色的热稳定性和抗雪崩能力,可确保在异常情况下安全运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 提供多种保护功能,如过温保护和短路保护,增强可靠性。

应用

该 MOSFET 主要应用于以下几个领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关管或同步整流管。
  2. 工业电机驱动电路中的功率级元件。
  3. 电动车和混合动力汽车的电池管理系统(BMS)及逆变器模块。
  4. 大功率 LED 驱动电路中的开关器件。
  5. 各种 DC-DC 转换器中作为高效功率转换的核心组件。

替代型号

IRFP2907AZPBF,
  IXTH18N60P3,
  FDP18N60C,
  STP180N10F5

GA1210A331FBLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容330 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-