M28315CN 是一款由 STMicroelectronics 生产的 CMOS 静态随机存取存储器 (SRAM) 芯片,其容量为 32K x 8 位,总存储容量为 256 Kbit。这款芯片专为需要高速数据访问和低功耗的应用设计,常用于嵌入式系统、工业控制设备、消费电子产品以及需要非易失性存储扩展的场景。M28315CN 采用标准的异步SRAM架构,支持全静态操作,无需刷新电路,确保了数据的稳定性和可靠性。
容量:256 Kbit (32K x 8)
电源电压:5V
访问时间:55ns/70ns/90ns(取决于型号后缀)
封装类型:44-TSSOP
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
接口类型:并行异步
功耗(典型值):工作模式:120mA,待机模式:10mA
数据保持电压:2V
数据保持电流:10mA
M28315CN SRAM 芯片具有多项显著特性。其高速访问时间为 55ns,适用于需要快速读写操作的应用场景,如高速缓存或实时数据缓冲。该芯片支持全静态操作,无需时钟或刷新信号,简化了系统设计并提高了稳定性。
低功耗设计是 M28315CN 的另一大亮点,其待机模式下仅消耗 10mA 电流,非常适合对功耗敏感的便携式设备和电池供电系统。此外,芯片支持数据保持模式,在电源电压降至 2V 时仍能保持数据不变,确保在断电情况下数据不会丢失。
M28315CN 采用 44-TSSOP 封装,体积小巧,适合高密度 PCB 设计。它的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,能够适应严苛的工业环境,广泛应用于工业自动化、仪器仪表、通信设备等领域。
该芯片提供标准的并行异步接口,兼容多种微控制器和处理器,便于系统集成。其地址和数据线独立控制,支持读写操作的独立时序调整,提高了系统的灵活性和兼容性。此外,M28315CN 还具备自动低功耗模式,在无访问操作时自动进入低功耗状态,进一步优化了能效表现。
M28315CN SRAM 芯片适用于多种应用场景,包括嵌入式系统中的高速缓存和数据缓冲、工业控制设备中的实时数据存储、消费类电子产品中的临时数据存储方案、通信设备中的协议处理缓存、汽车电子中的诊断数据记录等。由于其支持数据保持模式,M28315CN 也可用于需要断电后保留关键数据的场合,例如电表、医疗设备和智能卡终端等。
M28315CN 的替代型号包括 ISSI 的 IS61LV25616AL、Alliance Memory 的 AS6C25616C、Cypress 的 CY62148E 和 Renesas 的 IDT71V416C。这些型号在容量、访问速度、封装形式和电气特性上与 M28315CN 相似,可根据具体应用需求进行选择和替换。