MIC2544-1BMMTR 时间：2025/8/12 0:08:26 阅读：29

MIC2544-1BMMTR 是由 Microchip Technology 生产的一款双路低电压、低导通电阻（Low RDS(on)）的 MOSFET 阵列，专为需要高效功率管理的应用设计。该器件集成了两个独立的 N 沟道 MOSFET，能够提供高效率的功率传输，适用于电池供电设备、负载开关、电源管理模块以及其他需要高效能功率控制的系统。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　导通电阻（RDS(on)）：每个通道典型值为 7.5mΩ（VGS=4.5V）
　　最大漏极电流（ID）：连续 4A（每个通道）
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　栅极驱动电压：1.2V 至 5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TDFN-8

特性

MIC2544-1BMMTR 具备多个关键特性，使其在低电压功率管理应用中表现出色。首先，其双N沟道MOSFET结构允许两个独立通道控制，非常适合用于多个负载管理或双向开关应用。每个通道的导通电阻非常低，仅为 7.5mΩ（典型值），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。
　　该器件支持宽范围的栅极驱动电压，从 1.2V 到 5.5V，使其兼容多种逻辑控制器，包括 1.8V、2.5V、3.3V 和 5V 系统。这种灵活性使其适用于多种嵌入式和便携式设备。
　　此外，MIC2544-1BMMTR 的最大漏极电流为 4A，支持中高功率负载应用，如DC-DC转换器、电机驱动或LED背光控制。其最大漏源电压为 20V，具备一定的过压保护能力。
　　该器件采用 TDFN-8 封装，体积小巧，适合高密度 PCB 设计。工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于工业级环境条件。整体设计强调热性能和电气性能，确保在高负载下仍能保持稳定运行。

应用

MIC2544-1BMMTR 广泛应用于多种需要高效功率控制的系统，包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电源管理模块。它也常用于电池管理系统、负载开关控制、DC-DC 转换器、LED 照明控制器、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制单元。
　　由于其低导通电阻和高电流能力，该器件在能量转换效率要求较高的场合表现出色，例如在移动电源、无线充电系统和低功耗物联网设备中。此外，其宽输入电压范围和高集成度使其成为替代传统分立MOSFET解决方案的理想选择。