类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：8A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.85Ω
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：600V
　　栅极电荷（Qg）：典型值24nC
　　输入电容（Ciss）：典型值1200pF

CS8N60FA9HD MOSFET采用了先进的平面工艺技术，具有优异的电气性能和可靠性。该器件的高击穿电压能力（600V）使其适用于高电压输入的应用，同时其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，CS8N60FA9HD 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，增强了器件的耐用性和可靠性。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提高系统的开关速度和能效。同时，CS8N60FA9HD 的TO-252（DPAK）封装形式便于安装和散热，适用于表面贴装技术（SMT），适合在高密度PCB设计中使用。这些特性共同确保了该器件在严苛的工业和消费类应用中提供稳定和高效的表现。

CS8N60FA9HD 广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、马达控制模块以及各种负载开关电路。其高电压和中等电流能力使其成为中功率电源转换应用的理想选择，例如适配器、充电器和工业自动化设备中的电源模块。此外，CS8N60FA9HD 还可用于逆变器和UPS系统，以实现高效的能量转换和控制。

STP8NM60ND, FQP8N60C, IRF840, 2SK2141