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GA1210A271GXEAT31G 发布时间 时间:2025/6/28 17:47:22 查看 阅读:7

GA1210A271GXEAT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,专为射频通信应用设计。它采用先进的半导体工艺制造,具有高效率、高增益和宽频带的特点,适用于无线通信基站、卫星通信和其他高频信号处理领域。
  该芯片内置了匹配网络和偏置电路,能够简化外围电路设计,同时提供稳定的输出功率和线性性能。其封装形式紧凑,适合空间受限的应用场景。

参数

型号:GA1210A271GXEAT31G
  工作频率范围:800 MHz - 2.7 GHz
  输出功率(Psat):43 dBm
  增益:15 dB
  效率:50%
  供电电压:12V
  静态电流:200 mA
  最大输入功率:20 dBm
  封装形式:LFCSP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

这款功率放大器芯片具备以下特点:
  1. 高输出功率和高效率,能够在较宽的工作频率范围内保持稳定性能。
  2. 内置匹配网络和偏置电路,减少了外部元件的需求,提高了系统集成度。
  3. 宽带设计支持多种无线通信标准,包括 LTE、WCDMA 和 GSM 等。
  4. 小型化封装,适合对尺寸要求严格的设备。
  5. 良好的线性度和低失真性能,确保信号质量。
  6. 可靠性高,能在工业级温度范围内正常运行。

应用

GA1210A271GXEAT31G 主要应用于以下领域:
  1. 无线通信基站,用于提高信号覆盖范围和传输质量。
  2. 卫星通信系统,作为上行链路的功率放大器。
  3. 军事和航空航天领域的高频信号处理设备。
  4. 微波点对点通信系统。
  5. 工业物联网 (IIoT) 设备中的射频模块。
  6. 测试与测量仪器中的高频信号源。

替代型号

GA1210A272GXEAT31G, GA1210A273GXEAT31G

GA1210A271GXEAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容270 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-