时间：2025/6/24 13:50:17
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GA1210A182JBBAT31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能功率晶体管，适用于高频、高效率的电源转换应用场景。该器件采用增强型场效应晶体管 (e-mode FET) 结构设计，具备低导通电阻和快速开关特性，损耗。
这款 GaN 晶体管特别适合用在高频 DC-DC 转换器、图腾柱 PFC（功率因数校正）、无线充电模块以及电机驱动等领域。
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：15A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：47nC
输入电容：1140pF
反向传输电容：30pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GA1210A182JBBAT31G 的主要特点是采用了先进的氮化镓材料，使其能够以更小的芯片尺寸实现更高的开关频率和更低的导通损耗。此外，它还具有以下优势：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少功率损耗。
2. 快速开关能力，支持 MHz 级别的开关频率。
3. 高击穿电压（600V）确保了其在高压环境下的可靠性。
4. 内置保护机制如过流限制和短路耐受时间，提高了系统的安全性。
5. 小巧的封装形式节省了 PCB 布局空间。
该型号广泛应用于各种对效率和体积要求较高的场景，包括但不限于：
1. 高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 图腾柱无桥 PFC 电路。
3. 数据中心服务器电源供应。
4. 新能源汽车中的车载充电器和逆变器。
5. 快速充电适配器和无线充电设备。
6. 工业自动化设备中的高效电机驱动解决方案。
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