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GA1210A182FBCAT31G 发布时间 时间:2025/5/30 22:18:13 查看 阅读:6

GA1210A182FBCAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高效率和出色的热性能,适用于需要高电流处理能力的电路设计。
  该型号中的每个字母和数字组合代表特定的产品系列、封装形式和电气参数,使其能够满足不同应用场景下的需求。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  工作电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):182A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  栅极电荷(Qg):45nC
  功耗(PD):216W
  结温范围(Tj):-55℃ to +175℃
  封装形式:FBCAT31G

特性

GA1210A182FBCAT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗并提升系统效率。
  2. 高额定电流能力,支持大功率应用。
  3. 快速开关速度,减少开关损耗。
  4. 出色的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。
  5. 小型化的封装设计,便于在紧凑型电路板中使用。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
  7. 内置静电防护功能,提高器件的抗干扰能力。
  这些特性使该芯片成为高功率密度应用的理想选择。

应用

GA1210A182FBCAT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动电路,例如电动车窗、座椅调节和风扇控制。
  3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换部分。
  5. LED 照明驱动电路。
  6. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和切换功能。
  由于其卓越的性能和可靠性,该芯片特别适合要求高效率和高稳定性的应用场合。

替代型号

GA1210A150FBCAT31G, IRF540N, FDP150AN

GA1210A182FBCAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1800 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-