时间：2025/8/6 7:08:37
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IXZR18N50A是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流N沟道MOSFET功率晶体管。该器件专为高效率、高功率密度的电源转换应用设计，广泛应用于DC-DC转换器、AC-DC电源、电机控制、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中。该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优异的热性能，使其在高功率工作条件下依然保持稳定。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：18A（在Tc=25℃）
最大功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
导通电阻(Rds(on))：典型值0.22Ω（在Vgs=10V时）
IXZR18N50A具备多个显著的电气和热性能优势。首先，其导通电阻较低，能够有效减少导通损耗，提高电源转换效率。其次，该器件具有较高的击穿电压（500V），可适用于高电压输入的应用场景，例如工业电源和马达驱动系统。此外，该MOSFET的封装形式（TO-247）具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。
其栅极驱动特性优化，能够与常见的驱动IC兼容，降低设计复杂度并提高系统稳定性。同时，该器件的短路和过载耐受能力较强，适合用于对系统保护性能有较高要求的应用。IXZR18N50A还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。
该器件广泛应用于各种高功率电子系统中，如AC-DC开关电源、DC-DC转换器、电池充电器、UPS系统、工业电机控制、LED照明驱动电源以及太阳能逆变器等。由于其优异的电气性能和高可靠性，IXZR18N50A特别适合用于对效率和稳定性有严格要求的高性能电源系统。
IXFR18N50A, IRFZ44N, STP18NF50, FDPF18N50
