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AUIRF4104S 发布时间 时间:2025/6/21 22:43:33 查看 阅读:5

AUIRF4104S 是一款 N 沟道功率 MOSFET,专为汽车应用设计。该器件采用了先进的制程技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够满足汽车电子系统对效率和可靠性的严格要求。
  它适用于各种 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景,同时具备优异的热性能和电气特性,确保在严苛环境下的稳定运行。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻(典型值):3.8mΩ
  栅极电荷:54nC
  输入电容:2740pF
  工作结温范围:-55℃ 至 175℃

特性

AUIRF4104S 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以有效减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 高额定电流能力支持大功率应用场景。
  3. 快速开关速度降低开关损耗。
  4. 符合 AEC-Q101 标准,保证了其在汽车环境中的长期可靠性。
  5. 小型封装有助于节省 PCB 空间,适合紧凑型设计需求。
  6. 宽泛的工作温度范围使其能够在极端条件下正常工作。

应用

这款 MOSFET 主要应用于汽车电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. DC-DC 转换器的核心功率级开关元件。
  2. 负载开关用于控制电路的通断状态。
  3. 电机驱动中的功率输出级,例如电动车窗、雨刷或风扇控制。
  4. 各类电源管理系统中的功率转换与调节组件。
  5. 电池保护和管理电路中的关键开关元件。

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AUIRF4104S参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫欧 @ 75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs100nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3000pF @ 25V
  • 功率 - 最大140W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D²PAK
  • 包装管件