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IRF7425 发布时间 时间:2025/5/22 10:59:11 查看 阅读:2

IRF7425 是一款 N 沣道沟增强型场效应晶体管(MOSFET),由 Vishay 公司生产。该器件专为高频应用设计,具有极低的导通电阻和快速开关特性。IRF7425 常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他功率电子应用中。
  这款 MOSFET 的封装形式为 TO-263-3(D2PAK),其出色的电气性能使其成为高效率功率转换的理想选择。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:29A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:47nC
  输入电容:1620pF
  输出电容:500pF
  反向传输电容:150pF
  功耗:180W
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRF7425 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在典型值为 1.8mΩ 时能够显著降低传导损耗。
  2. 快速开关能力,得益于其较低的栅极电荷和较小的寄生电容,适用于高频应用。
  3. 高额定电流,支持高达 29A 的连续漏极电流,适合大功率电路。
  4. 强大的热稳定性,能够在高达 175°C 的结温下工作,满足苛刻环境下的使用需求。
  5. 小巧的 D2PAK 封装,便于安装和散热管理。
  这些特性使得 IRF7425 成为需要高效功率转换和紧凑设计的应用的理想选择。

应用

IRF7425 主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC 转换器的核心功率器件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制器件。
  4. 各种工业控制和汽车电子系统的功率管理部分。
  5. 电池管理系统(BMS)中的负载切换和保护功能。
  由于其高性能和可靠性,IRF7425 在这些应用中表现出色,可提供高效的功率转换和稳定的运行性能。

替代型号

IRF7419, IRF7422, IRF7427

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IRF7425参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.2 毫欧 @ 15A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs130nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7980pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF7425