类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：650V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：8A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：120A
　　正向电压降（VF）：典型值1.75V（在8A, 25°C条件下）
　　反向漏电流（IR）：典型值100μA（在650V, 25°C）；高温下最大5mA（在650V, 150°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252-3（D-Pak）
　　安装方式：表面贴装
　　反向恢复时间（trr）：0 ns（无反向恢复电荷）
　　热阻（RθJC）：约2.5°C/W

UF840KG-TN3-R的核心优势在于其采用的碳化硅（SiC）半导体材料，这种宽禁带材料相较于传统的硅基二极管具有更高的临界击穿电场强度、更高的热导率和更低的介电常数，使其能够在更高电压、更高温度和更高频率下稳定工作。由于其为肖特基势垒结构，该器件在正向导通时表现出较低的电压降，同时完全消除了PN结二极管所固有的少子存储效应，因此在关断过程中不会产生反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）。这一特性对于高频开关应用至关重要，因为它可以显著减少开关过程中的能量损耗，避免因反向恢复电流引起的电压尖峰和电磁干扰问题，从而提升整个电源系统的效率与可靠性。此外，在硬开关和软开关拓扑中，如连续导通模式（CCM）PFC升压二极管或LLC谐振变换器中的输出整流环节，UF840KG-TN3-R能够有效降低主开关管（如MOSFET或IGBT）的开通损耗，延长器件寿命。该器件的工作结温可达+175°C，远高于传统硅二极管的+150°C上限，使其在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，减少了对复杂散热系统的需求。同时，其低温度系数的漏电流表现确保了在高温工况下的稳定性，避免热失控风险。TO-252-3封装不仅提供了良好的机械强度和热传导路径，还兼容标准的SMT贴片工艺，有利于大批量自动化生产。综合来看，UF840KG-TN3-R凭借其卓越的材料特性、电气性能和封装设计，成为工业电源、通信电源、新能源发电和电动汽车等领域中实现小型化、高效化和高可靠性的理想选择。
　　

UF840KG-TN3-R广泛应用于各类高效率电力电子系统中。典型应用场景包括服务器电源、电信整流器、工业开关电源中的功率因数校正（PFC）升压二极管，在这些场合中，其零反向恢复特性可极大降低开关损耗并提升系统效率至96%以上。在DC-DC转换器中，尤其是在隔离型拓扑如全桥或半桥LLC谐振变换器的次级侧同步整流替代方案中，该器件可用作自由轮流二极管以优化轻载效率。在太阳能光伏逆变器中，UF840KG-TN3-R可用于直流输入端的防反接保护或组串式逆变器的升压级整流元件，其高耐压和高温稳定性确保了户外长期运行的可靠性。此外，在电动汽车车载充电机（OBC）和充电桩电源模块中，该器件有助于实现更高的功率密度和更优的热管理设计。其他应用还包括不间断电源（UPS）、焊接电源、电机驱动器中的续流二极管以及高密度适配器等需要高效、紧凑设计的场合。得益于其出色的动态性能和鲁棒性，UF840KG-TN3-R也适用于高频软开关拓扑和高dv/dt环境，展现出比传统硅快恢复二极管更优越的系统兼容性和EMI表现。