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GA1210A181GBLAT31G 发布时间 时间:2025/5/27 17:05:27 查看 阅读:15

GA1210A181GBLAT31G 是一款高性能的功率晶体管,属于 GaN(氮化镓)基半导体器件。它采用了先进的 GaN 技术,能够提供更高的效率和更快的开关速度,适用于高频、高功率的应用场景。该型号专为电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及通信设备中的射频放大器设计,具有卓越的热性能和电气特性。

参数

类型:功率晶体管
  材料:GaN(氮化镓)
  额定电压:650V
  额定电流:10A
  导通电阻:40mΩ
  最大功耗:100W
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  开关频率:最高 10MHz

特性

GA1210A181GBLAT31G 的主要特点是其基于氮化镓技术的高效性能。与传统的硅基功率晶体管相比,这款器件具备更低的导通电阻和更快的开关速度,从而显著减少能量损耗并提高系统效率。
  GaN 技术使得该芯片能够在高频条件下运行,非常适合需要快速开关的应用场景。此外,它的封装形式优化了散热性能,允许在较高的结温下稳定工作。
  该芯片还具有优异的抗电磁干扰能力,适合复杂电磁环境下的应用。其坚固的设计使其能够在工业级温度范围内可靠运行。

应用

该芯片广泛应用于各种高功率电子设备中,包括但不限于:
  1. 高效 DC-DC 转换器
  2. 通信基站中的射频功率放大器
  3. 工业电机驱动器
  4. 充电器和适配器
  5. 新能源汽车的车载充电器
  6. 太阳能逆变器
  这些应用场景都得益于 GA1210A181GBLAT31G 的高效率、低损耗和高可靠性特点。

替代型号

GA1210A181GBLAT32G
  GA1210A181GBLAT33G

GA1210A181GBLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容180 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-