时间：2025/4/27 17:03:36
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IRFP90N20DPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沣道沟道功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用了先进的封装技术，适用于高电压、大电流的应用场景。其主要特点包括低导通电阻、高击穿电压以及快速开关性能。这款 MOSFET 通常用于工业设备、电源管理模块和电机驱动等应用中。
该器件基于 DMOS 工艺制造，具备出色的电气特性和可靠性，能够满足多种复杂电路设计的需求。
最大漏源电压：200V
最大连续漏电流：9A
最大栅极漏电流：1nA
最大功耗：86W
导通电阻（典型值）：0.35Ω
栅极电荷：27nC
开关时间：开启延迟时间 42ns，上升时间 24ns，关闭延迟时间 12ns，下降时间 12ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
IRFP90N20DPBF 的主要特性如下：
1. 高击穿电压（200V），适合高压环境下的应用。
2. 较低的导通电阻（0.35Ω 典型值），有助于减少传导损耗。
3. 快速开关能力，能够适应高频开关电路需求。
4. 极低的栅极电荷（27nC），可以提高驱动效率。
5. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），保证在极端条件下的稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅封装。
7. 稳定的动态和静态性能，确保长期使用的可靠性。
IRFP90N20DPBF 适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. 电机驱动控制电路，如步进电机和直流无刷电机。
3. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
4. 大功率 LED 驱动器设计。
5. 各种逆变器和变频器电路。
6. 电池管理系统（BMS）中的保护和切换功能。
7. 电信和服务器电源系统中的功率分配单元。
IRFP9020, STP9NK20Z, FDC90N20
