类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）：25 A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 7.8 mΩ
　　栅极电荷（QG）：典型值 6.4 nC
　　反向恢复电荷（QRR）：典型值 0 nC
　　封装形式：4引脚贴片封装（Chip-scale package）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

EPC1007PE4-G 具备一系列显著的电气和物理特性，使其在现代功率电子设计中表现出色。首先，其采用的氮化镓（GaN）半导体技术相比于传统的硅基MOSFET具有更高的电子迁移率，这意味着更低的导通损耗和更快的开关速度。其导通电阻（RDS(on)）仅为7.8毫欧，极大地降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。
　　其次，该器件具备非常低的栅极电荷（QG），使得开关损耗显著减少，非常适合用于高频开关电源设计。此外，EPC1007PE4-G 没有反向恢复电荷（QRR = 0 nC），这意味着在同步整流和桥式电路中，可以避免因体二极管反向恢复而引起的额外损耗和电磁干扰（EMI），从而提升系统的稳定性和可靠性。
　　该器件采用4引脚贴片封装，具有优异的热性能和电气性能，适合高密度PCB布局。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C 至 150°C）确保了在各种严苛环境下的稳定运行。由于其增强型结构（常关型），在栅极电压为零时器件处于关闭状态，简化了驱动电路的设计，提高了安全性。
　　此外，EPC1007PE4-G 的封装设计减少了寄生电感，有助于提升高频应用中的性能表现。其优异的动态性能和低损耗特性使其成为电动汽车（EV）充电器、服务器电源、无线充电系统、D类音频放大器以及其他高效率功率转换应用的理想选择。

EPC1007PE4-G 主要应用于需要高效能、高频开关和高功率密度的电子系统中。其典型应用包括高效DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、无线充电系统、D类音频放大器、LED照明驱动、服务器电源和电信基础设施中的功率转换模块。此外，该器件也适用于电动汽车（EV）的车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）等新兴应用领域。由于其高频响应能力和低损耗特性，特别适合用于需要高效率和紧凑设计的现代功率电子系统。

EPC2055, GaN Systems GS61004B, Transphorm TP65H035WS