您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RTR040N03TL

RTR040N03TL 发布时间 时间:2025/5/31 1:36:50 查看 阅读:18

RTR040N03TL 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。该器件采用了先进的沟槽式技术,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,从而提升效率并降低功率损耗。
  此 MOSFET 的封装形式为 TO-263(DPAK),能够提供出色的散热性能,适用于多种工业和消费类电子应用。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:1.7mΩ(典型值,在 VGS=10V 时)
  栅极电荷:59nC(典型值)
  开关时间:t_on=23ns,t_off=28ns(典型值)
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263

特性

RTR040N03TL 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 高电流承载能力,适合大功率应用场景。
  3. 快速开关速度,能够满足高频开关电源的需求。
  4. 较小的栅极电荷,简化了驱动电路设计并降低了驱动功耗。
  5. 宽泛的工作温度范围,保证在极端环境下的可靠运行。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。

应用

RTR040N03TL 主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 直流/直流转换器中的功率开关。
  3. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
  4. 负载切换和保护电路。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备中的功率管理模块。

替代型号

RFP30N06LE, IRFZ44N, FDP55N06L

RTR040N03TL推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

RTR040N03TL资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

RTR040N03TL参数

  • 产品培训模块MOSFETs
  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C48 毫欧 @ 4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.3nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds475pF @ 10V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TSMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称RTR040N03TLTR