型号：RDN100N20
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID @25℃）：100A
　　脉冲漏极电流（IDM）：320A
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS=10V）：10mΩ
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS=4.5V）：14mΩ
　　栅极电荷（Qg）：280nC
　　输入电容（Ciss）：6800pF
　　输出电容（Coss）：490pF
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-247

RDN100N20的核心优势在于其极低的导通电阻与高电流承载能力的结合，这使其在大功率应用中表现出色。其典型RDS(on)值仅为10mΩ（在VGS=10V时），显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提高电源系统的整体效率并减少散热需求。该器件采用了先进的沟槽栅技术，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流密度，同时抑制了短沟道效应，确保在高温和高电压下仍能维持稳定的电气性能。
　　另一个重要特性是其出色的开关性能。RDN100N20具有较低的栅极电荷（Qg = 280nC）和输入电容（Ciss = 6800pF），这意味着它可以被更快地开启和关闭，从而减小开关延迟和过渡时间，适用于工作频率高达数百kHz的应用场合。配合较小的输出电容（Coss = 490pF），进一步降低了开关过程中的能量损耗，特别适合用于谐振变换器或软开关拓扑结构中。
　　在可靠性方面，RDN100N20具备强大的雪崩耐量能力，能够在遭遇瞬态过压事件（如感性负载关断）时吸收一定的能量而不损坏。这种坚固的设计使其在电机驱动和电源保护电路中更具鲁棒性。此外，其体二极管具有较短的反向恢复时间（trr = 45ns）和较低的反向恢复电荷（Qrr），有效减少了换流过程中的尖峰电压和电磁干扰，提升了系统EMI兼容性。
　　该器件的工作结温范围宽达-55℃至+175℃，表明其可在极端环境温度下可靠运行，适用于严苛的工业或户外应用场景。TO-247封装提供了优良的热传导路径，便于安装散热器以实现高效散热，延长使用寿命。综合来看，RDN100N20是一款兼顾高性能、高可靠性和高集成度的理想功率开关器件，尤其适合追求小型化与高效能平衡的设计需求。

RDN100N20广泛应用于各类高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，它常用于PFC（功率因数校正）升压级和主功率开关位置，特别是在服务器电源、通信电源和工业电源模块中，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升转换效率并降低温升。在DC-DC变换器中，尤其是双向升降压拓扑结构中，该器件能够高效处理大电流传输任务，适用于储能系统、新能源汽车车载设备和分布式电源架构。
　　在电机驱动方面，RDN100N20可用于工业自动化设备、电动工具和家用电器中的BLDC（无刷直流电机）或PMSM（永磁同步电机）驱动电路，作为桥臂开关元件参与PWM调速控制。其快速响应能力和高耐压特性使其能够应对频繁启停和负载突变带来的电气应力，保证驱动系统的平稳运行。此外，在太阳能光伏逆变器中，该MOSFET可用于直流侧开关或辅助电源电路，支持高输入电压等级下的安全切换操作。
　　其他典型应用还包括UPS不间断电源、焊接设备、感应加热系统以及电动汽车的OBC（车载充电机）和DC-DC转换模块。在这些系统中，RDN100N20不仅承担主功率开关功能，还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路，提供高效的通断能力。由于其具备良好的热稳定性和抗浪涌能力，也适合用于存在电压波动或电网不稳的环境中。随着对能效标准的不断提升，该器件在绿色能源和智能电网相关设备中的应用前景持续扩大。

SPW47N20C3
　　STW100N20C5
　　IPW90R120P7
　　FQP100N20