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GA1210A151KXBAR31G 发布时间 时间:2025/6/3 15:59:47 查看 阅读:5

GA1210A151KXBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电力电子领域。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和稳定性。
  该芯片的封装形式通常为行业标准的表面贴装类型,具备良好的散热性能和可靠性,适用于各种工业和消费类电子产品。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:65nC
  输入电容:1200pF
  反向恢复时间:45ns
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

GA1210A151KXBAR31G采用沟槽式MOSFET结构设计,具备超低的导通电阻,这使其在大电流应用中表现出优异的效率和散热性能。
  此外,其快速开关特性和较低的栅极电荷也使得动态损耗得以降低,非常适合高频开关应用。
  器件还拥有坚固的热设计和电气隔离能力,能够在恶劣环境下保持稳定运行,同时支持多种保护功能以提升系统可靠性。

应用

该MOSFET芯片广泛用于各类高效能电力转换设备中,例如服务器电源、通信电源、电动汽车充电模块以及家用电器中的变频驱动电路。
  此外,它也可以用作同步整流器、负载开关或电池管理系统中的关键组件,满足不同场景下的需求。

替代型号

IRFZ44N
  STP120NF10
  FDP18N12S
  AON7709

GA1210A151KXBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容150 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-