GA1210A151GBCAT31G是一款基于GaAs(砷化镓)工艺制造的高性能射频放大器芯片,专为无线通信、卫星通信和雷达系统中的高频率信号处理而设计。该芯片在高频段表现出优异的增益性能、低噪声系数以及高线性度,能够满足现代通信系统对高效能射频信号放大的需求。
这款器件适用于S波段及更高频率范围内的应用,具备紧凑的封装形式和卓越的电气特性,使其成为射频模块设计的理想选择。
型号:GA1210A151GBCAT31G
工作频率范围:2 GHz 至 18 GHz
增益:15 dB(典型值)
输出功率(1 dB 压缩点):+20 dBm
饱和输出功率:+23 dBm
噪声系数:3.5 dB
电源电压:+5 V
工作电流:200 mA
封装形式:陶瓷贴片封装
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
1. 高增益与宽带宽:
GA1210A151GBCAT31G能够在2 GHz至18 GHz的频率范围内提供稳定的15 dB增益,适用于多种高频应用。
2. 低噪声系数:
其噪声系数仅为3.5 dB,确保在接收端具有较高的灵敏度,特别适合于低噪声前置放大器的设计。
3. 高线性度:
该芯片具备良好的线性性能,在高功率输出下仍能保持较低的失真水平。
4. 小型化设计:
采用紧凑型陶瓷贴片封装,便于集成到小型化的射频模块中。
5. 稳定性:
在宽温范围内表现稳定,适应各种恶劣的工作环境。
1. 卫星通信:
用于地面站设备和卫星载荷中的射频前端放大。
2. 雷达系统:
作为脉冲或连续波雷达的驱动级或末级功率放大器。
3. 无线通信:
支持微波点对点链路、5G毫米波回传以及其他高频通信系统。
4. 测试测量:
用作信号发生器、频谱分析仪等测试设备中的射频信号增强部件。
5. 医疗成像与工业检测:
提供高精度的射频信号放大功能,服务于超声波和其他医疗成像技术。
GA1210A161GBCT31G
GA1210B151GBCT31G
GA1211A151GBCT31G