时间：2025/5/10 10:55:36
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DMR935E20R是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用了先进的沟槽式技术设计，具备低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能，适合对能效要求较高的应用环境。
DMR935E20R支持高电流操作，并且能够在宽电压范围内稳定工作，其封装形式为TO-252(DPAK)，能够有效降低寄生电感并提高散热能力。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：38A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：72nC
反向恢复时间：12ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
DMR935E20R具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著减少传导损耗，提升整体系统效率。
2. 快速的开关速度，有助于降低开关损耗并在高频应用中表现出色。
3. 高电流承载能力，适合大功率密度的应用场合。
4. 良好的热稳定性，即使在极端温度条件下也能保持可靠的性能。
5. 内部优化的ESD保护电路，提高了器件的抗静电能力。
6. 符合RoHS标准，环保无铅工艺生产。
DMR935E20R广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器，尤其是需要高效能和高频率操作的场景。
3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
4. 各种负载开关和保护电路设计。
5. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)和车载充电器(OBC)。
6. 其他涉及功率调节和控制的电子系统。
DMR935E15R
DMR935E25R
IRF3205
FDP5500
