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GA1210A122FBAAT31G 发布时间 时间:2025/5/27 17:02:17 查看 阅读:13

GA1210A122FBAAT31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,广泛应用于无线通信领域。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有高效率、高增益和低失真的特点,能够满足现代通信系统对射频信号放大器的严格要求。它主要适用于蜂窝基站、中继器和其他射频设备中的功率放大需求。
  此型号通常用于支持多载波应用,并能在较高的频率范围内提供稳定的输出性能。其设计充分考虑了散热性能和可靠性,适合长时间运行于苛刻的工作环境。

参数

类型:射频功率放大器
  工作频率范围:800 MHz 至 2.7 GHz
  增益:45 dB
  输出功率(P1dB):43 dBm
  电源电压:28 V
  静态电流:1.5 A
  效率:55%
  封装形式:TFFC-31 (表面贴装)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA1210A122FBAAT31G 的关键特性包括:
  1. 高线性度和高效率,能够有效降低功耗和热管理成本。
  2. 内置偏置电路,简化外部匹配网络设计并减少外围元件数量。
  3. 宽带宽覆盖能力,支持多种无线通信标准(如 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE)。
  4. 良好的抗干扰性能,确保在复杂电磁环境中稳定运行。
  5. 封装尺寸紧凑,有助于节省印刷电路板空间。
  6. 提供优异的可靠性和长寿命,适应工业级应用场景。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 蜂窝基站收发信机(BTS):
   - 2G/3G/4G 基站中的射频功率放大。
  2. 射频中继器:
   - 提升弱信号区域的通信质量。
  3. 专用无线通信设备:
   - 如集群通信系统、公共安全通信系统。
  4. 点对点微波链路:
   - 在回传网络中作为功率放大模块。
  5. 测试与测量仪器:
   - 模拟实际通信环境下的射频信号发射。

替代型号

GA1210A121FBAAT31G, GA1210A123FBAAT31G

GA1210A122FBAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-