类型：射频功率晶体管
　　技术：GaAs（砷化镓）
　　封装类型：表面贴装
　　工作频率范围：2GHz至2.2GHz
　　输出功率：典型值为50W
　　增益：典型值为18dB
　　效率：典型值为40%
　　电源电压：+28V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　输入/输出阻抗：50Ω

QPQ1289TR7具备多项优异特性，使其在射频功率放大应用中表现出色。首先，它采用了GaAs技术，提供了高功率密度和良好的线性度，适用于高要求的通信系统。其工作频率范围为2GHz至2.2GHz，非常适合用于现代无线通信频段，如WiMAX、LTE和5G基础设施。
　　该晶体管的典型输出功率为50W，增益为18dB，能够有效放大射频信号而不失真。此外，它的典型效率为40%，意味着在高功率输出下仍能保持较低的功耗，减少热量生成，提高系统稳定性。
　　封装方面，QPQ1289TR7采用表面贴装封装，有助于简化PCB布局和装配过程，提高生产效率。其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在各种环境条件下都能稳定运行。输入和输出阻抗均为50Ω，使得它能够方便地集成到标准射频系统中，减少匹配网络的复杂性。
　　为了确保长期可靠性，QPQ1289TR7经过严格的测试和验证，能够承受常见的射频放大器工作条件。其内置的热保护机制也有助于防止过热损坏，延长器件的使用寿命。

QPQ1289TR7广泛应用于无线通信基础设施中，特别是在基站和无线接入网络设备中作为主功率放大器。它适用于WiMAX、LTE和5G NR等现代通信标准，能够在高数据速率传输中提供稳定的射频输出。此外，该晶体管也常用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频发射系统，以及测试和测量设备中的信号放大器。
　　在无线基站系统中，QPQ1289TR7用于放大基站发射信号，以确保覆盖范围和信号质量。在测试设备中，它被用于模拟高功率射频信号，以测试其他通信设备的性能。由于其良好的线性度和效率，QPQ1289TR7也可用于需要高保真度放大的应用，如广播发射器和专用无线网络设备。

QPA1289, QPF1289, HMC8191, CMF1289