时间：2025/5/24 14:14:16
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STF6N65M2是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合。STF6N65M2具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点，能够有效降低电路中的传导损耗和开关损耗。
这款MOSFET的设计采用了先进的制造工艺，在保证性能的同时提高了可靠性和耐用性，适合需要高效能和稳定性的电力电子设备。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：6A
导通电阻：1.4欧姆（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：27nC（典型值）
输入电容：1080pF（典型值）
总功耗：130W
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
STF6N65M2具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，最大漏源电压为650V，非常适合高压应用环境。
2. 低导通电阻，仅为1.4欧姆（典型值），有助于减少传导损耗，提升系统效率。
3. 快速开关速度，栅极电荷较小，可有效降低开关损耗。
4. 小型化设计，采用标准的TO-220封装，便于散热和安装。
5. 工作温度范围广，支持从-55℃到+150℃的极端温度条件，确保在各种环境下的可靠性。
6. 符合RoHS环保标准，满足绿色电子产品的要求。
STF6N65M2广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 逆变器及太阳能发电系统中的功率转换模块。
5. 各种工业自动化设备中的负载切换与保护电路。
6. 汽车电子系统中的高可靠性功率开关。
STF6N65M3, STF6N65E, IRF640N
