GA1206Y822KXJBT31G 是一款高性能钽电容器,主要用于电源滤波、信号耦合和去耦等场景。它采用固态铝电解技术,具有低ESR(等效串联电阻)、高纹波电流能力和稳定的电气性能。该型号以其小型化设计和高可靠性广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。
容量:22μF
额定电压:6.3V
封装类型:chip
工作温度范围:-55℃至+125℃
尺寸:3.2mm x 1.6mm
ESR(典型值):0.1Ω
GA1206Y822KXJBT31G 的主要特点包括:
1. 高频性能优异,低ESR使得其在高频条件下仍能保持高效的滤波能力。
2. 具备卓越的温度稳定性,在极端温度环境下依然能够维持稳定的电容值。
3. 纹波电流承载能力强,可满足复杂电路中的需求。
4. 小型化设计使其非常适合空间受限的应用场合。
5. 长寿命与高可靠性,适用于需要长期稳定运行的设备中。
该电容器适用于以下应用场景:
1. 消费类电子产品中的电源滤波,如智能手机和平板电脑。
2. 工业控制设备中的信号耦合与去耦。
3. 通信基站中的高频信号处理。
4. 笔记本电脑及外设的电源管理模块。
5. 车载电子系统中的电源稳压电路。
6. 医疗设备中的敏感信号处理电路。
GA1206Y822KXJBT31H
GA1206Y822KXJBT31F