DTB513ZE 时间：2025/11/7 20:33:06 阅读：5

DTB513ZE是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用SOD-123FL小型封装，适用于需要高效率、低功耗和紧凑布局的便携式电子设备。该器件专为高频开关应用设计，具备较低的正向导通压降和快速的反向恢复特性，能够有效提升电源转换效率并减少能量损耗。DTB513ZE常用于电源整流、反向极性保护、续流二极管以及DC-DC转换器等电路中。其小尺寸封装非常适合空间受限的应用场景，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他消费类电子产品。该二极管符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。此外，SOD-123FL封装具有良好的热性能和机械稳定性，能够在自动化贴片工艺中保持高可靠性。DTB513ZE在制造过程中经过严格的质量控制，确保批次一致性与长期工作稳定性，适合工业级温度范围内的持续运行。

参数

类型：肖特基二极管
　　配置：单只
　　反向电压：40V
　　平均整流电流：1A
　　峰值浪涌电流：30A
　　正向电压（最大值）：550mV @ 1A, 1V @ 10mA
　　反向漏电流（最大值）：100μA @ 25°C, 1.5mA @ 125°C
　　反向恢复时间：典型值 < 5ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　引脚数：2

特性

DTB513ZE的核心特性之一是其低正向导通压降，在1A电流下典型值仅为550mV，显著低于传统PN结二极管的0.7V~1V水平。这一特性使得器件在导通状态下产生的功率损耗更小，从而提高了整体系统的能效表现，特别适合电池供电设备以延长续航时间。由于肖特基二极管基于金属-半导体结而非P-N结，因此不存在少子存储效应，这直接带来了极短的反向恢复时间，通常小于5纳秒。这种快速开关能力使其非常适合用于高频开关电源、同步整流辅助路径或防止电感反冲电压损坏敏感元件的续流应用。
　　另一个重要特性是其紧凑的SOD-123FL封装，尺寸仅为约2.0mm x 1.3mm x 1.1mm，属于超小型表面贴装器件，极大节省了PCB布局空间。同时，该封装优化了引线结构，降低了寄生电感和电阻，有助于提升高频性能和热传导效率。器件额定平均整流电流为1A，峰值浪涌电流可达30A，表明其具备一定的瞬态过载承受能力，可在启动或负载突变时提供可靠保护。此外，尽管最大反向重复电压为40V，但其在高温下的反向漏电流仍保持在可控范围内——在125°C时最大为1.5mA，避免因漏电增加而导致系统异常功耗上升。整体而言，DTB513ZE在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，适用于对空间和效率要求严苛的设计场景。

应用

DTB513ZE广泛应用于各类便携式电子设备中的电源管理模块，如手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表等，主要用于DC-DC升压或降压转换器中的整流环节，替代传统快恢复二极管以提高转换效率。在同步整流架构尚未普及的小功率设计中，该器件可作为主输出整流管使用，尤其适用于非隔离式Buck或Boost拓扑结构。此外，它也常被用作反向极性保护二极管，串联在电源输入端，防止电池接反而损坏后级电路，其低压降特性可减少正常工作时的电压损失。在电池充电管理电路中，DTB513ZE可用于防止电池向电源端倒灌电流，起到单向导通作用。在LED驱动电路中，它可以作为续流二极管，抑制电感断开时产生的高压尖峰，保护开关管和其他组件。由于其高频响应能力强，也被应用于信号解调、钳位电路及ESD保护辅助路径中。工业领域中，该器件适用于传感器模块、IoT节点和低功耗微控制器供电单元等对空间和功耗敏感的应用。总之，凡是在有限空间内需要高效、快速、稳定整流功能的场合，DTB513ZE都是一个理想选择。