您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1206Y682MXLBT31G

GA1206Y682MXLBT31G 发布时间 时间:2025/6/9 13:11:23 查看 阅读:34

GA1206Y682MXLBT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景。该型号属于沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著减少能量损耗并提高系统性能。
  此器件采用先进的制造工艺,能够在高频条件下保持良好的开关特性,并且具备出色的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:31A
  导通电阻:2mΩ
  总栅极电荷:95nC
  输入电容:1240pF
  输出电容:175pF
  反向传输电容:28pF
  功耗:18W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206Y682MXLBT31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有效降低功率损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 优异的热稳定性,在高温环境下仍能保持可靠运行。
  4. 内置 ESD 保护电路,增强抗静电能力。
  5. 小型化封装设计,便于 PCB 布局优化。
  6. 宽泛的工作温度范围,适应各种严苛环境。

应用

该芯片广泛用于多种电力电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关模式电源 (SMPS)。
  2. 直流无刷电机驱动。
  3. 工业自动化控制系统。
  4. 汽车电子中的负载切换。
  5. LED 照明驱动电路。
  6. 各类 DC-DC 转换器模块。

替代型号

IRF3710,
  FDP5800,
  AUIRF3710TRPBF

GA1206Y682MXLBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6800 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-