GA1206Y682MXLBT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景。该型号属于沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著减少能量损耗并提高系统性能。
此器件采用先进的制造工艺,能够在高频条件下保持良好的开关特性,并且具备出色的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:31A
导通电阻:2mΩ
总栅极电荷:95nC
输入电容:1240pF
输出电容:175pF
反向传输电容:28pF
功耗:18W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
GA1206Y682MXLBT31G 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有效降低功率损耗,提升整体效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
3. 优异的热稳定性,在高温环境下仍能保持可靠运行。
4. 内置 ESD 保护电路,增强抗静电能力。
5. 小型化封装设计,便于 PCB 布局优化。
6. 宽泛的工作温度范围,适应各种严苛环境。
该芯片广泛用于多种电力电子设备中,包括但不限于:
1. 开关模式电源 (SMPS)。
2. 直流无刷电机驱动。
3. 工业自动化控制系统。
4. 汽车电子中的负载切换。
5. LED 照明驱动电路。
6. 各类 DC-DC 转换器模块。
IRF3710,
FDP5800,
AUIRF3710TRPBF