时间：2025/6/4 19:03:30
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HRT10L200SCT是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用Trench工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性。该器件适用于各种高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
该型号的封装形式为SOT-23，具有小体积、高散热性能的特点，适合对空间要求较高的设计环境。
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：2A
导通电阻(Rds(on))：200mΩ
栅极电荷(Qg)：8nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ to +150℃
HRT10L200SCT的主要特性包括：
1. 超低导通电阻，可有效降低功率损耗。
2. 快速开关特性，支持高频操作，减少开关损耗。
3. 高击穿电压能力，确保在高压环境下稳定运行。
4. 小型化封装，节省PCB布局空间。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 提供优异的热性能，增强长期稳定性。
该芯片广泛应用于多种电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源适配器中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统中的负载控制。
4. 消费类电子产品的保护电路。
5. 小型电机驱动电路。
6. 各种手持设备中的高效开关解决方案。
HRT10L150SC, HRT10L250SCT, Si2302DS
