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GA1206Y562MBXBT31G 发布时间 时间:2025/7/1 14:37:32 查看 阅读:10

GA1206Y562MBXBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
  此器件为 N 沟道增强型 MOSFET,主要适用于高频率和高效率的应用环境。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:15nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206Y562MBXBT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),确保在大电流应用中减少功耗。
  2. 快速开关能力,适合高频操作环境。
  3. 高雪崩能力和强鲁棒性,增强了器件的可靠性和耐用性。
  4. 小型封装设计,便于 PCB 布局优化。
  5. 支持宽温度范围,适应各种恶劣工作条件。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
  2. 各类 DC-DC 转换器模块。
  3. 电机驱动电路,用于控制步进电机或无刷直流电机。
  4. 充电器及适配器设计。
  5. 工业自动化设备中的功率管理部分。
  6. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的动力系统组件。

替代型号

IRFZ44N
  STP40NF06L
  FDP5500
  AO3400

GA1206Y562MBXBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5600 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-