类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：30A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220SM(W)

2SK1817-01MR采用了东芝先进的沟槽型MOSFET技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低功率损耗，提高系统效率。其4.5mΩ的Rds(on)在60V的漏源电压下提供了优异的导电性能，适合需要高电流能力的应用。此外，该器件具有高开关速度，能够适应高频开关环境，从而减小外部滤波元件的尺寸和成本。
　　该MOSFET的热阻较低，具备良好的散热能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。其TO-220SM(W)封装不仅提供了优良的热管理性能，还具有较高的机械强度和可靠性，适合工业级应用。栅极驱动电压范围为±20V，兼容多种驱动电路设计，便于集成到不同类型的电源系统中。
　　2SK1817-01MR还具备较高的耐用性和抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定工作。其设计符合RoHS标准，支持环保应用。由于其优异的电气性能和可靠性，该器件广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统（BMS）、电源模块以及其他高效率功率电子设备。

2SK1817-01MR主要应用于以下领域：电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、电源适配器、UPS系统、LED照明驱动器、汽车电子系统等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效率功率转换系统的理想选择。

2SK2545, 2SK3098, IRFZ44N, Si4410BDY