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GA1206Y562KBBBR31G 发布时间 时间:2025/6/6 16:58:23 查看 阅读:6

GA1206Y562KBBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  该型号属于增强型N沟道MOSFET,其设计旨在满足高效率电力转换需求。通过优化的单元结构和封装技术,GA1206Y562KBBBR31G能够在高频工作条件下保持较低的开关损耗和传导损耗。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:75nC
  输入电容:2200pF
  最大功耗:180W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206Y562KBBBR31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型工作条件下仅为1.2mΩ,有助于减少传导损耗。
  2. 高速开关能力,具有较小的栅极电荷和输出电荷,适合高频应用。
  3. 强大的散热性能,支持高功率密度设计。
  4. 增强的雪崩能力和鲁棒性,适用于严苛的工作环境。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  6. 支持表面贴装技术(SMD),便于自动化生产和紧凑型设计。

应用

GA1206Y562KBBBR31G广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关。
  2. DC-DC转换器,特别是在高效率降压或升压拓扑中。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  4. 工业控制和自动化设备中的功率管理模块。
  5. 新能源领域如太阳能逆变器和储能系统的功率转换部分。

替代型号

IRF740,
  STP40NF06,
  FDP5500,
  AO4402

GA1206Y562KBBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5600 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-