BAS70H是一款双极性小信号晶体管,主要应用于高频和低噪声放大电路。该晶体管属于NPN型硅晶体管,具有低噪声、高增益和良好的频率响应特性,适用于各种模拟和数字电路设计中的开关和放大功能。
其封装形式通常为SOT-23小型表面贴装封装,适合用于空间受限的印刷电路板设计。此外,BAS70H还具备较高的电流增益(hFE),能够在较宽的工作频率范围内保持稳定的性能。
集电极-发射极电压:45V
集电极电流:100mA
直流电流增益(hFE):100~600
最大功耗:175mW
过渡频率(fT):800MHz
工作温度范围:-55℃~150℃
BAS70H晶体管具有以下特点:
1. 高频率响应能力,能够支持高达800MHz的工作频率,适用于射频和高速应用。
2. 低噪声系数,非常适合在对信号保真度要求较高的场景中使用。
3. 小型化SOT-23封装,便于实现高密度电路设计。
4. 广泛的工作温度范围,使其适合工业和汽车环境中的极端条件。
5. 稳定的直流增益表现,确保了电路性能的一致性和可靠性。
BAS70H晶体管常用于以下领域:
1. 射频放大器和混频器,利用其高频率特性和低噪声性能。
2. 音频设备中的前置放大器,以提高音频信号的质量。
3. 开关电源和脉宽调制(PWM)控制电路中的驱动级。
4. 数据通信和无线模块中的信号调节电路。
5. 工业自动化设备中的传感器接口和信号调理电路。
BC847B, MMBT3904LT1