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GA1206Y562KBABR31G 发布时间 时间:2025/7/1 14:36:56 查看 阅读:22

GA1206Y562KBABR31G 是一款高精度、低噪声的运算放大器芯片,专为高性能模拟信号处理应用而设计。该芯片采用先进的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 工艺制造,具有极低的输入偏置电流和高共模抑制比 (CMRR),非常适合用于精密测量、传感器信号调理以及音频处理等场景。
  其独特的架构使其能够在较宽的工作电压范围内保持优异的性能,并且具备低功耗特性,适用于便携式设备和电池供电系统。

参数

供电电压:2.7V 至 5.5V
  带宽:10 MHz
  增益带宽积:12 MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  输入偏置电流:1 pA
  输出电流:30 mA
  封装形式:TSSOP-8

特性

GA1206Y562KBABR31G 的主要特点是其超低的输入偏置电流,这使得它在高阻抗源的应用中表现尤为突出。此外,该芯片还具有出色的电源抑制比 (PSRR) 和共模抑制比 (CMRR),确保在复杂电磁环境中仍能提供稳定的性能。
  芯片内置了过热保护和短路保护功能,提高了系统的可靠性和安全性。同时,其低功耗特性使其非常适合应用于对功耗敏感的便携式设备中。
  该芯片支持轨到轨输入和输出摆幅,能够充分利用供电电压范围,从而提高动态范围和信号处理能力。

应用

GA1206Y562KBABR31G 广泛应用于需要高精度和低噪声特性的场合,例如医疗设备中的信号调理电路、工业自动化控制中的传感器接口、消费电子中的音频放大电路等。
  此外,它也常被用作数据采集系统中的缓冲放大器或滤波器组件,能够有效提升系统的整体性能。

替代型号

LMV321
  TLV2372
  AD8628

GA1206Y562KBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5600 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-