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STD100N3LF3 发布时间 时间:2025/4/7 10:06:47 查看 阅读:20

STD100N3LF3是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用了Trench技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种需要高效能转换的电路中。
  该MOSFET主要应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。它能够处理较高的电流,并在较低的电压下保持良好的性能表现。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:100A
  导通电阻:2.8mΩ
  栅极电荷:45nC
  总电容(输入电容):2650pF
  功耗:30W
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

1.Rds(on)),确保了在大电流应用中的高效性能。
  2. 高开关频率支持,适合高频PWM控制。
  3. 短路耐受时间长,提升了系统的可靠性和稳定性。
  4. 采用TO-220封装形式,散热性能优越。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际规范要求。
  6. 具备快速恢复二极管效应,减少了开关损耗。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器,用于汽车电子系统和工业自动化。
  3. 电机驱动和逆变器设计,特别是在电动汽车和家用电器中。
  4. 负载开关和保护电路,在消费类电子产品如笔记本电脑适配器。
  5. 电池管理系统(BMS),尤其是锂电池组管理模块。

替代型号

IRFZ44N
  STP100NF3L
  FDP177N3L
  IXFN100N3T
  STW92N3LL

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STD100N3LF3参数

  • 其它有关文件STD100N3LF3 View All Specifications
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2060pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)