VUO82 时间：2025/8/28 11:20:50 阅读：26

VUO82 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高效能、低损耗的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和高侧开关等应用。该器件采用先进的功率技术，具备优异的热稳定性和高电流承载能力，适用于工业控制、电源管理和汽车电子等高要求场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：8A（在25℃）
　　功耗（PD）：3.3W
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（典型值，VGS=4.5V）
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：PowerSO-10

特性

VUO82 功率MOSFET采用了意法半导体的高性能制程技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其18mΩ的典型RDS(on)值在4.5V栅极驱动电压下表现优异，适合用于高效率的同步整流和DC-DC转换器设计。该器件支持高达8A的连续漏极电流，具备较强的负载能力。
　　此外，VUO82采用了PowerSO-10封装，具备良好的热管理性能和紧凑的封装体积，适用于空间受限的设计场景。该封装形式还具备较强的机械强度和耐高温能力，确保在复杂工作环境下的稳定运行。VUO82的工作温度范围为-55℃至150℃，可在极端温度条件下保持稳定性能，适用于工业级和汽车电子应用。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持±12V的栅源电压，允许使用多种类型的驱动电路进行控制，提高了设计的灵活性。同时，VUO82具备良好的短路和过载保护能力，能够在突发故障条件下保持器件的可靠性。其高侧开关应用特性使其在电池管理系统、电源开关和负载控制电路中表现出色。

应用

VUO82 MOSFET广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于：同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电源管理系统、高侧开关电路、电池充电和放电控制、工业自动化设备和汽车电子控制系统。其高效率和低导通电阻特性使其成为高效能电源转换和负载管理应用的理想选择。此外，该器件在便携式电子产品、电机控制和LED驱动器中也有广泛应用。