GA1206Y473MXJBR31G 是一种高性能的多层陶瓷电容器 (MLCC),属于高容值系列,适用于高频和高稳定性电路设计。该型号具有极低的等等效串联电感 (ESL),能够满足消费电子、通信设备及工业控制领域对电源滤波和信号耦合的严格要求。
该电容器采用X7R介质材料,具备良好的温度稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电容量。其端电极为镀锡处理,焊接性能优异,适合自动化贴片工艺。
封装:1206
电容量:4.7μF
额定电压:6.3V
耐压范围:±20%
工作温度范围:-55℃~+125℃
介质材料:X7R
尺寸(长x宽x高):3.2mm x 1.6mm x 1.9mm
绝缘电阻:大于10kΩ
GA1206Y473MXJBR31G 具备出色的频率特性和抗噪声能力,适用于高频应用环境。它的X7R介质确保了在温度变化时电容值的波动较小,从而提升系统的稳定性。
此外,该型号采用了先进的叠层技术制造,大幅降低了寄生参数的影响,使其非常适合用于电源退耦、RF滤波以及高速信号链路中的旁路电容。
产品符合RoHS标准,环保无铅,并通过了IEC和UL认证,可靠性高且使用寿命长。
该型号广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:
1. 消费类电子产品,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理模块。
2. 工业控制系统中的信号调理电路。
3. 通信设备中的射频前端滤波器。
4. 音频设备中的音频信号耦合与去耦。
5. 医疗设备中的敏感信号放大电路。
其卓越的电气特性和紧凑的设计,使其成为众多高性能电路设计的理想选择。
Kemet C0805X473M4RACTU
Taiyo Yuden JM1206H475MEHE
AVX 08053C474M4RAC