时间：2025/6/23 13:45:49
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CDR31BP470BFZMAT 是一种用于功率转换和电源管理的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 N 沟道增强型技术，适用于高电压、高效率的开关应用。其封装形式为表面贴装类型，便于自动化生产和紧凑型设计。
这种 MOSFET 在汽车电子、工业设备以及消费类电子产品中广泛应用，尤其适合需要低导通电阻和快速开关特性的场景。
最大漏源电压：470V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻：2.6Ω
栅极电荷：25nC
总电容：1200pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DPAK (TO-252)
CDR31BP470BFZMAT 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压：支持高达 470V 的漏源电压，非常适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：在同级别产品中具有较低的导通电阻值，有助于降低功耗并提升效率。
3. 快速开关能力：具备较小的栅极电荷和输出电荷，能够实现高效的高频开关操作。
4. 高温稳定性：能够在极端温度范围内正常运行，满足严苛工况需求。
5. 表面贴装封装：易于集成到现代化电路板设计中，提高了可靠性和生产效率。
该1. 开关电源 (SMPS)：作为主开关器件，用于 AC/DC 或 DC/DC 转换。
2. 电机驱动：控制直流无刷电机或其他类型的电机运行。
3. 汽车电子系统：如车载充电器、LED 照明驱动等。
4. 工业自动化：例如逆变器、不间断电源 (UPS) 和光伏逆变器。
5. 消费类电子产品：适配器、电池充电器和其他便携式设备。
CDR31BP470BFZMTR, IRF840, STP47NF06
