时间：2025/5/13 16:11:36
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GA1206Y473JXXBT31G 是一款由知名厂商推出的高性能钽电容器，主要用于需要高稳定性和低等效串联电阻(ESR)的应用场景。该器件采用固态锰 dioxide 作为阴极材料，具有出色的频率特性和温度稳定性。其设计符合行业标准，并广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域。
容量：47μF
额定电压：6.3V
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
封装形式：chip
尺寸：3.2mm x 1.6mm
ESR（典型值）：0.05Ω
GA1206Y473JXXBT31G 具备以下显著特点：
1. 高可靠性：采用先进的制造工艺，确保产品在各种环境下的稳定运行。
2. 超低 ESR：有助于减少纹波和噪声，提升电路性能。
3. 宽温范围支持：能够在极端温度条件下正常工作，满足严苛环境需求。
4. 小型化设计：紧凑的封装使其适合于空间受限的设计。
5. 长寿命：使用寿命长，适用于对可靠性要求较高的应用场景。
6. 符合 RoHS 标准：环保友好，满足国际法规要求。
这款钽电容器适用于多种电子设备中的滤波、耦合和退耦功能。具体包括：
1. 移动通信设备中的电源管理模块。
2. 工业自动化系统中的信号处理电路。
3. 消费类电子产品如平板电脑、笔记本电脑和智能手表的稳压电路。
4. 医疗仪器中的精密放大器电路。
5. LED 驱动器和 DC/DC 转换器中的能量存储元件。
AVX TPS6C476M016RNTR, KEMET T521C476K065ATE020
