时间：2025/4/29 17:10:44
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RR1LAM4STR 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关晶体管，主要应用于高频电源转换领域。该器件采用先进的封装工艺和半导体技术，能够提供卓越的开关性能和低导通电阻，从而实现高效率和高功率密度的设计。
RR1LAM4STR 的设计使其特别适合于 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、无线充电设备以及其他需要高频工作的应用场合。
额定电压：650V
额定电流：4A
导通电阻：160mΩ
栅极电荷：25nC
开关频率：最高支持至5MHz
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252
RR1LAM4STR 提供了以下关键特性：
1. 高效的 GaN 技术确保更低的开关损耗和更高的系统效率。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 有效减少传导损耗。
3. 支持高达 5MHz 的开关频率，显著减小无源元件的尺寸，提高功率密度。
4. 内置保护功能，包括过温保护和短路保护，增强可靠性。
5. 完全兼容标准 MOSFET 栅极驱动信号，简化设计流程。
6. 具备优异的热性能，适用于高温环境下的长期稳定运行。
RR1LAM4STR 广泛应用于以下场景：
1. 高频 DC-DC 转换器。
2. 开关电源（SMPS），例如适配器和充电器。
3. 无线充电模块中的功率传输部分。
4. 工业级 AC-DC 转换设备。
5. 汽车电子中的车载充电器和 DC-DC 转换器。
6. 可再生能源领域的逆变器和功率调节系统。
RR1LAM4STRP
RR1LAM4STQ
