时间：2025/6/27 4:27:32
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ST7VFN162 是 STMicroelectronics（意法半导体）推出的一款垂直 N 沟道功率 MOSFET。这款芯片主要应用于高效率、高频开关的场景，适用于各种电源管理应用。其采用了先进的制造工艺，在低导通电阻和快速开关特性方面表现优异，能够显著降低系统功耗并提升整体性能。
该器件支持宽范围的工作电压，并具备出色的热稳定性及抗静电能力，使其成为工业控制、消费电子以及汽车电子领域中理想的功率转换解决方案。
最大漏源电压(Vds)：650V
连续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：0.3Ω
栅极电荷(Qg)：48nC
结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220AC
ST7VFN162 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：高达 650V 的漏源电压，确保在高压环境下稳定运行。
2. 超低导通电阻：仅为 0.3Ω，从而减少了导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷量 (48nC)，有助于实现高频操作同时降低开关损耗。
4. 强大的散热性能：支持高温工作环境，最高结温可达 +175°C。
5. 高可靠性：经过严格测试，具有良好的抗静电能力和长期稳定性。
6. 小型化设计：采用 TO-220AC 封装，便于安装且节省空间。
ST7VFN162 广泛应用于需要高效功率转换和开关的场合，具体包括：
1. 开关电源 (SMPS)：
- 离线式 AC/DC 转换器
- DC/DC 转换模块
2. 电机驱动：
- 工业用无刷直流电机控制器
- 家电中的小型电机驱动电路
3. 照明设备：
- LED 驱动器
- 荧光灯电子镇流器
4. 充电器：
- 手机快充适配器
- 笔记本电脑充电装置
5. 汽车电子：
- 车载逆变器
- 各类车载电源管理系统
STP16NF65,
IRFP250N,
FDP16N65
