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GA1206Y332JBXBT31G 发布时间 时间:2025/6/6 17:01:22 查看 阅读:5

GA1206Y332JBXBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等高效率功率转换场景。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能。
  其设计旨在满足现代电子设备对高效能和小型化的需求,同时具备出色的可靠性和耐用性,适用于工业、消费电子及汽车等多个领域。

参数

型号:GA1206Y332JBXBT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  功耗(Ptot):20W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206Y332JBXBT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,支持高频应用,降低开关损耗。
  3. 高雪崩能力,确保在异常情况下仍能保持稳定工作。
  4. 强大的散热能力,适应高温环境下的长时间运行。
  5. 静电防护性能优越,提高了产品的可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。
  此外,该芯片还通过了严格的电气和机械测试,以保证在各种复杂工况下的表现。

应用

GA1206Y332JBXBT31G 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS) 和 AC-DC 转换器中作为主开关管。
  2. 电机驱动电路,用于控制直流或无刷电机的速度和方向。
  3. DC-DC 转换器中的同步整流管,提升转换效率。
  4. 电池保护和管理系统中的充放电控制。
  5. 汽车电子中的负载开关和逆变器模块。
  6. 工业自动化设备中的功率控制单元。
  凭借其强大的性能和可靠性,该器件成为众多高功率应用的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF06
  FDP30N06L

GA1206Y332JBXBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3300 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-