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GA1206Y274JBJBT31G 发布时间 时间:2025/6/6 17:00:22 查看 阅读:4

GA1206Y274JBJBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,支持高电流应用场合。其设计注重散热性能与电气稳定性,在各种复杂工作环境下均能保持良好的表现。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:80nC
  开关速度:超高速
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206Y274JBJBT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在典型条件下仅为 2.5mΩ,可显著减少导通损耗。
  2. 高额定电流能力,支持高达 30A 的连续漏极电流,适用于大功率应用。
  3. 快速开关性能,栅极电荷低至 80nC,有助于降低开关损耗。
  4. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃),适合极端环境下的使用。
  5. 提供可靠的 ESD 保护功能,增强器件抗干扰能力。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  7. 封装为标准 TO-247,易于集成到现有电路中。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
  3. 新能源汽车的电池管理系统 (BMS) 和逆变器模块。
  4. 太阳能微逆变器和其他可再生能源转换系统。
  5. 高效 LED 照明驱动电路。
  6. 各种需要高效功率转换的场景,例如通信基站和服务器电源等。

替代型号

GA1206Y274JBJBT32G, IRF3205, FDP55N06L

GA1206Y274JBJBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.27 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-