时间：2025/6/5 21:40:58
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LMUN5314DW1T1G 是一款由 Texas Instruments（德州仪器）推出的 N 沣道开关 MOSFET，采用小尺寸封装技术设计，主要适用于高效率功率转换和负载开关应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能，能够在紧凑的设计中实现高效能表现。
此 MOSFET 的典型应用场景包括但不限于 DC-DC 转换器、负载开关、多相电压调节模块 (VRM) 和其他需要高性能功率开关的领域。
类型：N-channel MOSFET
导通电阻（Rds(on)）：2.6 mΩ（最大值，Vgs=10V时）
漏源极耐压（Vds）：30 V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.1 V（典型值）
连续漏极电流（Id）：77 A
功耗：38W
封装：DSBGA-8
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
LMUN5314DW1T1G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，在 2.6 mΩ 时可有效减少传导损耗，提高系统效率。
2. 支持高频率开关操作，能够满足现代电子设备对快速开关的需求。
3. 小型封装 DSBGA-8 提供卓越的热性能和空间节省能力，适合紧凑型设计。
4. 高额定电流支持高达 77A 的连续漏极电流，适用于大功率应用。
5. 宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），使其能在各种严苛环境下稳定运行。
6. 稳定的电气特性和低栅极电荷 Qg，有助于降低开关损耗并提升整体效率。
该 MOSFET 广泛应用于多个领域，例如：
1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、降压/升压电路、反向电流保护等。
2. 负载开关：在笔记本电脑、平板电脑、智能手机和其他便携式设备中作为负载开关。
3. 多相 VRM：在服务器、图形卡和其他高性能计算平台中提供高效的多相电压调节。
4. 工业控制：如电机驱动、电池管理系统、LED 驱动器等需要高效率和高可靠性的场合。
LMUN5314DQ1T1G, LMUN5314DW2T1G
