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LMUN5314DW1T1G 发布时间 时间:2025/6/5 21:40:58 查看 阅读:9

LMUN5314DW1T1G 是一款由 Texas Instruments(德州仪器)推出的 N 沣道开关 MOSFET,采用小尺寸封装技术设计,主要适用于高效率功率转换和负载开关应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,能够在紧凑的设计中实现高效能表现。
  此 MOSFET 的典型应用场景包括但不限于 DC-DC 转换器、负载开关、多相电压调节模块 (VRM) 和其他需要高性能功率开关的领域。

参数

类型:N-channel MOSFET
  导通电阻(Rds(on)):2.6 mΩ(最大值,Vgs=10V时)
  漏源极耐压(Vds):30 V
  栅极阈值电压(Vgs(th)):1.1 V(典型值)
  连续漏极电流(Id):77 A
  功耗:38W
  封装:DSBGA-8
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

LMUN5314DW1T1G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),在 2.6 mΩ 时可有效减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 支持高频率开关操作,能够满足现代电子设备对快速开关的需求。
  3. 小型封装 DSBGA-8 提供卓越的热性能和空间节省能力,适合紧凑型设计。
  4. 高额定电流支持高达 77A 的连续漏极电流,适用于大功率应用。
  5. 宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +150°C),使其能在各种严苛环境下稳定运行。
  6. 稳定的电气特性和低栅极电荷 Qg,有助于降低开关损耗并提升整体效率。

应用

该 MOSFET 广泛应用于多个领域,例如:
  1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、降压/升压电路、反向电流保护等。
  2. 负载开关:在笔记本电脑、平板电脑、智能手机和其他便携式设备中作为负载开关。
  3. 多相 VRM:在服务器、图形卡和其他高性能计算平台中提供高效的多相电压调节。
  4. 工业控制:如电机驱动、电池管理系统、LED 驱动器等需要高效率和高可靠性的场合。

替代型号

LMUN5314DQ1T1G, LMUN5314DW2T1G

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