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GW30NC60W 发布时间 时间:2025/7/23 2:47:33 查看 阅读:7

GW30NC60W 是一款由 Global Mixed-mode Technology Inc. 生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高功率密度和优异的热性能,适用于需要高效能和高可靠性的电力电子应用。这款MOSFET采用先进的沟槽式技术,提供低导通电阻和快速开关特性,使其在电源转换系统中表现出色。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流 (Id):30A
  漏极-源极击穿电压 (Vds):600V
  栅极-源极电压 (Vgs):±20V
  导通电阻 (Rds(on)):典型值为0.15Ω
  功率耗散 (Pd):150W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-247

特性

GW30NC60W MOSFET采用了先进的沟槽式制造工艺,提供极低的导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗并提高了系统的整体效率。其高耐压能力(600V)使其适用于高电压输入的电源转换器应用。该器件的栅极驱动电压范围为±20V,具有良好的栅极绝缘性能,确保在高电压应用中的稳定性。
  此外,GW30NC60W具有较高的功率耗散能力(150W),能够在较高的工作温度下稳定运行,适用于高功率密度设计。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于在PCB上安装和散热片连接,适用于工业电源、UPS系统和电机控制等应用领域。
  在开关特性方面,GW30NC60W具有快速的开关响应时间,能够减少开关损耗并提高系统的开关频率。这种特性使得它在高频电源转换器中表现出色,有助于减小外部元件的尺寸并提高系统效率。同时,该器件具有良好的短路和过载保护能力,能够在极端工作条件下保持稳定运行。

应用

GW30NC60W广泛应用于各类高功率电力电子系统中,如开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电机驱动器、光伏逆变器和工业自动化设备。其高耐压和低导通电阻特性使其特别适用于高效率DC-DC转换器和AC-DC整流器的设计。在新能源领域,该MOSFET可用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。此外,它也可用于电动工具、电动车充电器和家用电器中的功率控制电路。

替代型号

IXFH30N60P、STW30NC60W、FGL40N60SFD、FGA30N60L

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