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GA1206Y223KXBBT31G 发布时间 时间:2025/5/13 16:06:06 查看 阅读:5

GA1206Y223KXBBT31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,广泛应用于无线通信系统中的信号放大。该芯片采用先进的半导体工艺制造,能够在高频段提供卓越的增益和线性度表现,同时具备较低的功耗特性。其设计适用于多种通信标准,如 4G LTE、5G NR 和其他专用无线通信协议。该芯片支持宽带频率范围,使其能够灵活适应不同应用场景的需求。
  此外,GA1206Y223KXBBT31G 集成了多种保护机制,例如温度监控、负载不匹配保护和过流保护等,确保其在复杂工作环境下的可靠性。

参数

工作频率:3.4GHz - 3.8GHz
  输出功率:40dBm
  增益:12dB
  电源电压:5V
  静态电流:400mA
  效率:45%
  封装形式:QFN-24
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA1206Y223KXBBT31G 的主要特点是高输出功率与高效能相结合,适合用于基站设备或远程通信终端。它采用了增强型线性化技术,从而减少失真并提高信号质量。此外,该芯片还具有以下优点:
  - 内置偏置电路,简化外部元件设计
  - 支持脉冲调制功能,优化功耗表现
  - 提供稳定的增益性能,在宽频带范围内一致性良好
  - 高集成度,减少整体解决方案的尺寸
  - 具备完善的自我保护功能,提升系统稳定性

应用

此芯片主要应用于需要高功率输出和高效率的无线通信场景中,包括但不限于以下领域:
  - 4G/5G 基站收发信机
  - 射频拉远单元(RRU)
  - 微波点对点通信系统
  - 军事及航空航天领域中的高可靠通信设备
  - 专用无线网络,如公共安全通信系统

替代型号

GA1206Y223KXBBT32G
  GA1207Y223KXBBT31G

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GA1206Y223KXBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-