类型：DRAM（HBM2）
　　容量：8GB
　　数据速率：2.4Gbps
　　工作电压：1.3V
　　封装类型：FCBGA（倒装芯片球栅阵列）
　　接口标准：HBM2标准
　　引脚数量：1024
　　带宽：约307GB/s
　　温度范围：0°C至+85°C
　　封装尺寸：具体尺寸依据制造商数据为准

H5PS5182FFR-Y5C 芯片具备多项高性能特性，首先其采用HBM2标准，支持高达2.4Gbps的数据速率，能够为需要高带宽的应用提供强有力的支持。芯片的容量为8GB，通过3D堆叠技术实现了高密度存储，同时减少了PCB板的占用空间，非常适合高集成度的系统设计。
　　该芯片的工作电压为1.3V，具有较低的功耗特性，同时在高带宽传输时仍能保持良好的能效比。H5PS5182FFR-Y5C 采用FCBGA（倒装芯片球栅阵列）封装形式，这种封装技术不仅提高了电气性能，还增强了散热能力，使得芯片能够在高负载下保持稳定运行。
　　此外，H5PS5182FFR-Y5C 支持先进的错误校正功能，提高了数据的可靠性和系统的稳定性。其温度范围为0°C至+85°C，适用于多种工业级应用环境。该芯片的带宽约为307GB/s，为图形处理、人工智能计算和高性能计算提供了强大的内存支持。

H5PS5182FFR-Y5C 主要应用于高性能计算领域，如GPU（图形处理器）、AI加速器、深度学习服务器以及高端游戏显卡。由于其高带宽和低延迟的特性，该芯片也非常适合用于需要大量数据处理能力的科学计算、数据中心和网络设备。此外，H5PS5182FFR-Y5C 还可用于工业自动化、高端嵌入式系统以及需要高速缓存的网络基础设施设备。随着HBM技术的不断发展，这款内存芯片在虚拟现实（VR）、增强现实（AR）和自动驾驶等新兴技术领域也有广泛的应用前景。

H5PS5182FFR-Y5C的替代型号包括SK Hynix H5PS5161FFR-Y5C和三星的HBML251AE1AM-X1W