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GA1206Y123KXCBR31G 发布时间 时间:2025/5/30 22:15:16 查看 阅读:5

GA1206Y123KXCBR31G 是一款高性能的射频功率晶体管,专为高频通信应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有高增益、高线性度和低噪声的特点,适用于无线通信基站、雷达系统以及射频放大器等场景。
  该晶体管在高频工作条件下表现优异,能够满足现代通信系统对高效率和高可靠性的需求。其封装形式经过优化,可确保良好的散热性能和电气连接。

参数

型号:GA1206Y123KXCBR31G
  类型:射频功率晶体管
  最大功率增益:25 dB
  频率范围:800 MHz - 3.5 GHz
  饱和输出功率:45 W
  效率:65 %
  电源电压:28 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:表面贴装

特性

GA1206Y123KXCBR31G 的主要特性包括:
  1. 高增益:在指定频率范围内提供稳定的功率增益,从而减少对外部放大器的需求。
  2. 高线性度:能够有效降低信号失真,提升通信质量。
  3. 宽带宽:支持从 800 MHz 到 3.5 GHz 的频率范围,适应多种通信标准。
  4. 低热阻封装:优化的封装设计提高了散热能力,延长了器件寿命。
  5. 高可靠性:经过严格测试,确保在各种环境条件下稳定运行。
  6. 易于集成:适合表面贴装技术,简化了生产流程并降低了成本。

应用

GA1206Y123KXCBR31G 广泛应用于以下领域:
  1. 无线通信基站:用于射频功率放大,提升信号覆盖范围。
  2. 雷达系统:作为核心功率放大组件,增强探测距离和精度。
  3. 射频测试设备:为测试仪器提供高精度的信号源。
  4. 工业与医疗设备:如超声波设备、微波加热装置等需要高频能量的应用。
  5. 卫星通信:支持地面站与卫星之间的高效数据传输。

替代型号

GA1206Y123KXCBR32G, GA1206Y123KXCBR33G

GA1206Y123KXCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-