D10040250GTH 时间：2025/8/16 8:00:06 阅读：4

D10040250GTH 是一款由 Diodes 公司生产的场效应晶体管（MOSFET），专为高效率功率应用设计。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供较低的导通电阻和快速的开关特性，使其非常适合用于电源管理和功率转换电路中。D10040250GTH 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：100A
　　漏极-源极电压（VDS）：40V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：2.5mΩ（最大值，典型值可能更低）
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　功率耗散（PD）：250W
　　阈值电压（VGS(th)）：2V 至 4V（典型值为 3V）

特性

D10040250GTH 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式工艺技术，使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。
　　该 MOSFET 采用 TO-263（D2PAK）封装，具有良好的热管理和机械稳定性，适用于需要高可靠性和高耐久性的工业和汽车应用。其高电流承载能力和宽泛的工作温度范围使其能够在严苛环境下稳定工作。
　　另一个显著特点是其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 10V 和 12V 驱动电压，兼容多种控制器和驱动电路。此外，D10040250GTH 还具有较高的短路耐受能力，适用于需要高稳定性和安全性的应用场合。
　　该器件的结构设计优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于减少外围滤波电路的需求，从而降低整体系统成本和复杂度。同时，其快速恢复体二极管也提升了在反向电流和再生负载应用中的性能表现。

应用

D10040250GTH 广泛应用于各种高功率和高效率的电源管理系统中，包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。
　　在服务器和通信电源系统中，该 MOSFET 可用于主开关和同步整流电路，以提高转换效率并减少散热需求。在电动汽车和混合动力汽车中，它可用于电池管理系统和车载充电器，提供高效的能量传输和稳定的性能。
　　此外，D10040250GTH 也适用于工业自动化和电机控制应用，如伺服驱动器和变频器，其低导通电阻和高电流能力有助于提升系统响应速度和能效。在太阳能逆变器和储能系统中，该器件可用于功率转换和能量管理，确保高效的能量利用和稳定的运行性能。