时间：2025/6/12 2:26:11
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TK11228BUIB是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换等应用。该器件采用N沟道增强型技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的效率和稳定性。
此型号属于TO-252封装，适合表面贴装工艺，广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：28A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：39nC
开关时间：ton=12ns, toff=18ns
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（4.5mΩ），可以有效减少导通损耗，提高系统效率。
2. 高额定电流（28A）使其适用于大功率应用环境。
3. 快速的开关性能（总开关时间为30ns），有助于降低开关损耗。
4. 具备强大的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的运行。
5. 支持表面贴装，便于自动化生产并节省PCB空间。
1. 开关电源设计中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. DC-DC转换器中的功率开关。
4. 各种负载切换和保护电路。
5. 汽车电子系统中的电源管理单元。
IRFZ44N
STP28NF06L
FDP18N06S
AO3400
